SK Hynix计划投资扩大下一代DRAM芯片生产能力

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SK Hynix计划扩大下一代动态随机存取存储器(DRAM)芯片的生产能力,其中包括高带宽存储器(HBM),这是人工智能基础设施的核心组件。这家韩国存储芯片制造商将投资约5.3万亿韩元(38.6亿美元)在忠清北道清州市建造M15X工厂,用于新的DRAM生产基地。施工将于4月底开始,并有望在2025年11月完成初期大规模生产。计划逐步增加设备投资,新生产基地的总投资将在长期内超过20万亿韩元。SK Hynix总裁兼首席执行官郭鹤中表示:“M15X将转型为向全球供应AI存储器的关键设施,将扮演连接公司现在和未来的关键角色。”SK Hynix在当前人工智能热潮中地位上升。该公司在HBM市场占据主导地位,目前是Nvidia最先进的图形处理器单元的独家合作伙伴。此外,公司计划进行其他国内投资,包括龙仁半导体集群,计划投入约120万亿韩元。这些投资是为了应对人工智能半导体的快速增长需求,特别是预计由服务器高容量DDR5模块产品带来的DRAM普遍需求的稳步增长。据报道,这家韩国公司还计划投资约40亿美元,在印第安纳州西拉法叶建立先进的芯片封装设施。该工厂的运营可能于2028年开始。这些投资是为了应对人工智能半导体的快速增长需求,特别是预计由服务器高容量DDR5模块产品带来的DRAM普遍需求的稳步增长。据报道,这家韩国公司还计划投资约40亿美元,在印第安纳州西拉法叶建立先进的芯片封装设施。该工厂的运营可能于2028年开始。

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